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IBM和三星宣布半导体技术实现新突破

发布日期:
2021-12-20

浏览次数:

543

来源:

天极网

  12月17日消息,据外媒报道,IBM和三星电子共同推出了一种新的半导体设计,采用垂直晶体管架构的垂直传输场效应晶体管(VTFET)。

  VTFET在IEDM 2021国际电子元件会议上首次亮相。当前技术意味着晶体管的水平放置,而VTFET允许垂直放置。正如开发人员所设想的那样,电流也将垂直流动。

  IBM和三星的专家认为,在处理器的设计和制造中使用VTFET将至少解决现代微电子学的两个基本问题。首先,它可以使克服1nm障碍成为可能。此外,从消费者的角度来看更为重要的是,理论上VTFET将提高未来CPU的性能。

  作为VTFET的另一个优势,开发人员提到了大幅降低处理器功耗的可能性。

  目前,尚不清楚VTFET的发展处于哪个阶段。该技术的商业化条款尚未确定,这意味着第一个跨越1nm障碍的处理器可能会在几天或几年内出现。